Rambus и Kingston работают над новой DDR3

Первый прототип, предназначенный для использования в составе систем с многоядерными процессорами, будет продемонстрирован в рамках Intel Developer Forum (IDF) на следующей неделе. Как отмечает Rambus, новая разработка является частью анонсированной в мае инициативы по увеличению пропускной способности памяти на 50% и снижению потребляемой мощности на 20% по сравнению с сегодняшними модулями DIMM.

"Наша инновационная технология задействует параллелизм для обеспечения высокой пропускной способности, необходимой для многоядерных систем, и в то же время более эффективна с точки зрения потребления мощности", - рассказал представитель Rambus Крэйг Хэмпел (Craig Hampel), которому предстоит выступать на IDF. Демонстрация призвана повлиять на производителей и побудить их адаптировать продукты к новой технологии. На сегодняшний день нет наборов логики, поддерживающих подобные модули. "Мы всё еще в стадии проповедования", - посетовал директор по маркетингу компании Майкл Чинг (Michael Ching). Увеличение на рынке процессоров с несколькими ядрами сопровождается необходимостью роста быстродействия подсистемы памяти. Rambus нашла выход в эффективном разделении DIMM на два независимых ресурса, доступ к которым осуществляется параллельно. От производителей модулей требуется добавить новые дорожки на печатные платы, чтоб создать разделённые левый и правый каналы DIMM. В свою очередь, контроллеры памяти также необходимо модифицировать, информирует 3dnews.ru