NIMS разработал собственный процесс введения примеси в тонкую пленку нитрида бора высокой плотности для успешного получения BN/Si-гетеродиода. Прототипы солнечных ячеек, основанные на диоде, показали эффективность на уровне 2%. BN-полупроводник p-типа был получен введением кремния в качестве примеси, при этом синтезированный нитрид бора высокой плотности имеет решетку, напоминающую структуру алмаза (sp3-гибридизация).
По этому методу солнечная ячейка изготавливается из гетеродиода, который включает подложку из кремния (n-тип) и нитрид бора (p-тип), сформированный на подложке. Кроме того, микроконусы, покрывающие поверхность тонкой пленки, способны повысить эффективность поглощения света, поскольку эти конусы снижают количество отраженного солнечного света, говорят в институте.
NIMS планирует запустить солнечные ячейки на BN/Si-гетеродиодах в коммерческое производство, целевыми направлениями для этой разработки ученые называют беспилотные системы наблюдения и устройства, используемые в космосе, с повышенными показателями прочности, надежности и устойчивости к агрессивной внешней среде. Также планируется разработка BN-полупроводника n-типа в дополнение к p-типу для создания гомогенного диода.
Использование BN-гомогенного диода дает возможность разработать солнечные ячейки, прозрачные для видимого света. Это позволит, например, получить окно в солнечной батарее, расположенной на крыше автомобиля, или подключать накопители энергии к солнцезащитным очкам или окнам здания также являющимися ячейками, считают в институте.
Комментарии /0
После 22:00 комментарии принимаются только от зарегистрированных пользователей ИРП "Хутор".
Авторизация через Хутор: